Ученые нашли замену кремнию для дальнейшего уменьшения размеров транзисторов


20:1212.12.2020
Share Button

Десятки лет кремний оставался доминирующим материалом для производства микрочипов, но его господство может закончиться. Специалисты MIT обнаружили, что сплав арсенида индия-галлия (InGaAs) может стать основой технологии производства транзисторов меньшего размера, обладающих большей энергетической эффективностью.

Этот материал обладает отличными свойствами транспорта электронов. Транзисторы из InGaAs могут быстро обрабатывать сигналы и работать при относительно низком напряжении, то есть действительно способны повысить производительность компьютеров, пишет 24 канал.

В малом масштабе транспорт электронов в материале ухудшается. Эта проблема заставила некоторых исследователей объявить InGaAs неподходящим материалом для производства транзисторов. Однако, как выяснили ученые из MIT, проблемы с производительностью арсенида индия-галлия происходят отчасти из-за захвата оксида, в результате чего электроны начинают хуже проходить через транзисторы.

Изучив их частотную зависимость – скорость, с которой электрические импульсы проходят через транзистор – специалисты обратили внимание, что на низких частотах производительность InGaAs падает. Но на частоте 1 ГГц и больше соединение работает отлично – не хуже, чем кремний.

Ученые уверены, что эту проблему можно решить, а также надеются, что их открытие вдохновит на новые исследования арсенида индия-галлия.

Читайте: Компания Маска удачно чипировала свиней

Очень плохоПлохоХорошоНормальноОтлично (Нет голосов)
Загрузка...
Понравилась статья? Расскажите друзьям!
Share Button


Обсуждение

Пожалуйста, чтобы добавить комментарий.

© Inshe.tv

Share Button