Десятки лет кремний оставался доминирующим материалом для производства микрочипов, но его господство может закончиться. Специалисты MIT обнаружили, что сплав арсенида индия-галлия (InGaAs) может стать основой технологии производства транзисторов меньшего размера, обладающих большей энергетической эффективностью.
Этот материал обладает отличными свойствами транспорта электронов. Транзисторы из InGaAs могут быстро обрабатывать сигналы и работать при относительно низком напряжении, то есть действительно способны повысить производительность компьютеров, пишет 24 канал.
В малом масштабе транспорт электронов в материале ухудшается. Эта проблема заставила некоторых исследователей объявить InGaAs неподходящим материалом для производства транзисторов. Однако, как выяснили ученые из MIT, проблемы с производительностью арсенида индия-галлия происходят отчасти из-за захвата оксида, в результате чего электроны начинают хуже проходить через транзисторы.
Изучив их частотную зависимость – скорость, с которой электрические импульсы проходят через транзистор – специалисты обратили внимание, что на низких частотах производительность InGaAs падает. Но на частоте 1 ГГц и больше соединение работает отлично – не хуже, чем кремний.
Ученые уверены, что эту проблему можно решить, а также надеются, что их открытие вдохновит на новые исследования арсенида индия-галлия.
